scia Eva 200-思锐奇系统

scia Eva 200

Eva 200系统通过电子束蒸发，可在最大200 mm的晶圆片上沉积超纯膜层。该系统可配置多个坩埚槽，蒸镀多达 12 种膜层材料，并可选配单晶圆Loadlock或全自动盒式载片机构。此外,该系统具有很小的占地面积，并可选配集成离子源为预清洗。

特点和优势

样品台可精确倾斜和旋转，可设定沉积的入射角度

高温材料和难熔金属的高蒸发沉积速率

水冷可旋转多坩埚槽，最多适用12种蒸发材料

可选的预清洗离子束源

可集成多种全自动盒式载片机构，包括SESS/GEM通信

应用

- 纳米结构薄膜层的掠角沉积（GLAD），生产用于高效燃料发电的光电极

- 用于气体分析仪和智能应用的红外发射器

- 基板的金属化

- 介电材料镀膜

- 光学镀膜

应用程序

内布拉斯加大学提供的沉积硅纳米结构的SEM图(右) 和掠角沉积原理(左)

原理

电子束(E-beam)蒸发

通过钨丝的电流会引起电子发射，电子通过高压加速成为电子束流。磁场使电子束偏转，使其聚焦到坩埚中，导致坩埚中材料的蒸发，并沉积在样品基板上。

技术数据

底板尺寸(最大)	200毫米口径。
基座	水冷、氦背面冷却接触,衬底旋转5-20分钟,可在0-180℃每0.1℃的位置上倾斜,可选加热
电子束蒸发器	一个冷却的熔炉上的4到12个口袋
离子束源(可选)	120mm循环射频源(RF120-E)或218mm循环微波ECR源(MW218-E)
碱压	< 5 x 10 ^-7 马巴
系统尺寸(WxDxH)	1.80米x1.50米x2.40米,适用于单衬底负载锁定的单室(没有电架和泵)
配置	单室,带单衬底负载锁定或磁带处理,集群系统,最多3个加工室
软件接口	SECS II / GEM, OPC

过程结果

典型沉积速率	附件:16纳米/分钟高级官员₂ 40纳米/分钟
均匀性变异	≤ 0.3 % (σ/mean)