scia Mill 150

scia Mill 150适用于在多种材料复杂多层膜上的微结构刻蚀。该系统对活性气体相容,能够进行反应蚀刻工艺以提高选择性和刻蚀速率。由于其节省空间的设计,scia Mill 150是小规模生产和研发应用的理想选择。

常规属性
采用圆形离子源对全部样品区域在惰性或反应气体环境下进行刻蚀
可进行离子束刻蚀(IBE、IBM)、反应离子束刻蚀(RIBE)和化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)
刻蚀角度调整:样品台可以旋转且倾斜可调
可获得极好的均匀性而无需修正挡板
通过反应气体可以提高刻蚀速率,并控制刻蚀选择性
通过基于SIMS(二次离子质谱)或光学的截止点探测技术控制工艺
可配备晶圆载具(wafer carrier)以适用不同尺寸基底
可以刻蚀光刻胶晶圆,具有良好的样品冷却配置
系统性能
样品尺寸 ф150mm
样品夹具 水冷,氦背板冷却转速:5 - 20 rpm倾斜:0° - 165°步长 0.1°
离子源 ф218mm的圆形ECR 微波源 MW218-e
中和器 等离子体桥中和器N-3DC
参考刻蚀速率 SiO2:30nm/min
刻蚀均匀性 ≦1% (σ/mean)
基础真空度 5 x 10-7 mbar
尺寸(不含电柜与真空泵) 1.7m x 1.7m x 1.7m
软件界面 SECS II / GEM, OPC
标准配置 1 个工作仓
配置选项

- 单片 Load-Lock(可选), OES 或SIMS截止点探测器(可选),加热套

应用领域
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