scia Cube 750用于样品尺寸为 750 mm x 750 mm 的大面积镀膜和刻蚀。可用于计量光栅的制造。
通过微波激励反应气体,产生等离子体。通过射频偏压,增强离子轰击能量。
PECVD的过程,为使用等离子体辅助反应,将气体原子沉积在基板表面形成薄膜。
RIE的过程,使用反应气体和离子轰击,对基板表面进行物理与化学的刻蚀。
该系统专为大面积高密度等离子体工艺过程而设计,可在较宽范围内调节沉积参数,实现高速率气相沉积镀膜。此外,也可以使用氧气或卤素化学气体进行高各向异性蚀刻,并优化刻蚀工艺的选择比。
- 通过同步线性微波源阵列,实现大面积等离子体工艺过程
- 在样品支架上配置独立的射频偏压,对样品实现高能轰击
- 样品可冷却至 -10°C
- 样品面朝下放置,避免颗粒污染
- 可进行原位腔室清洗处理
- 全自动样品真空装载LoadLock与大气环境样品存储系统
- PECVD工艺
介质膜的沉积, 例如封装、阻挡涂层、电绝缘(SiO2、Si3N4等)
光学和耐磨涂层(a-C:H,DLC)
纳米金刚石和碳纳米管的生长
- RIE工艺
金属(镍、铬、铂等)的反应蚀刻和微结构图形制备
光学材料(石英、熔融石英)中光栅和其他结构的蚀刻
光刻胶灰化
样品尺寸 | 750 mm x 750 mm |
样品支架 | 水冷,RF偏压 |
样品温度 | 可以冷却至 -10 °C 或加热至 850 °C |
等离子体源 | 7个线性微波源 (PL1300) 和/或RF平行平板布置, 13.56 MHz |
典型刻蚀速率 | 金属: > 5 nm/min, SiO2: > 30 nm/min |
电源 | 微波源: max. 48 kW, 射频源: max. 3 kW |
基础真空 | < 1 x 10-6 mbar |
系统尺寸(WxDxH) | 3.70 m x 2.50 m x 2.00 m (不含电控柜与泵) |
配置 | 单真空室配单样品装载机构load lock, 可选大气环境样品装载与存储系统 |