scia Trim 200-思锐奇系统

scia Trim 200

scia Trim 200用于晶圆或光学元件的高精度表面离子束修形、减薄或抛光，而不受薄膜和材料的限制。该系统专为批量生产而设计，具有满足产能和维护的优化布局，可以配有能容纳标准晶圆尺寸的半导体载具机器手。此外，组合布局可选2个工作仓和2个载具loadlock以提高产能。

原理：采用聚焦离子束轰击样品表面，通过控制离子束焦斑在局部区域的驻留时间，来实现表面材料的定量去除，从而实现抛光或表面修整。

应用：光学元件的离子束抛光修形、膜层的均匀性减薄、MEMS器件的修整

系统特点

- 显著提升产能

- 薄膜的厚度均匀性可以修正到原子水平，至0.1nm

- 消除了边缘效应

- 具有ZBE功能，可进行亚纳米级去除

- 对样品材料没有限制

- 产能与维护在设计时就进行了优化，以最大程度降低生产成本

- 可以加工带有光刻胶的晶圆，具有良好的样品冷却配置

* ZBE：Zero Base Etching

系统性能

样品尺寸	ф200mm
样品台	氦冷却背板对于晶圆为标准静电夹具而无边缘遮拦
氦冷却背板对于晶圆为标准静电夹具而无边缘遮拦	最大线速度0.5m/s, 最大线加速度15m/S2
离子源	★ 37mm 圆形射频源RF37-i，束腰7--15mm （FWHM） ★ 80mm 圆形射频源RF80-i，束腰12-- 20mm （FWHM）
中和器	热灯丝中和器N-Fil 或射频等离子桥中和器N-RF
参考去除率	SiO2： 6 x 10-3mm3/s （RF37-i) 11 x 10-3 mm3/s （RF80-i)
加工后表面精度	< 0.5nm rms （薄膜修整厚度不均匀性，与初始状态有关）
参考产能	15 Wafer/h (50 nm Si on 150 mm wafer)
基础真空度	1x10-6 mbar
软件界面	SECS II / GEM, OPC
标准配置	1个工作仓

配置选项

- 选配单样品loadlock或晶圆载具

- 可选组合布局为2个工作仓和晶圆载具